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该技术提供了一种调制金属/半导体费米能级钉扎的新方法，吉尼绩最为发展新型沟道材料晶体管研究做出贡献。一、斯成导读随着硅基晶体管逐步逼近物理极限，斯成锗基、III-V和二维等新材料沟道晶体管研究受到广泛关注，然而对于这些器件，金属/半导体界面上的费米能级钉扎效应往往带来大的接触电阻，从而降低器件性能。

a.将带有底部电极的Ge衬底、差纪CNT薄膜和顶部电极堆叠制备Al/CNT/Ge结。2）为研究费米能级钉扎机制提供平台，天帮提出在该器件中金属诱导间隙态机制是钉扎的主要原因。吉尼绩最c.不同CNT厚度异质结M1-M5的电流-电压特性。

基于此方法，斯成研究人员在室温下制备出了晶圆级二极管阵列，具有4.6×104的高开关比和优异的红外响应和器件均匀性（图4）。四、差纪数据概览图1.碳纳米管插入层工艺。

天帮b.二极管阵列的光镜图像（标尺：200μm）。

吉尼绩最c.由Al/Ge肖特基结和Al/CNT/Ge欧姆结构成的二极管结构图。在商业面前，斯成科技与创新，成为星港家居最闪光的标签。

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